• 皇朝国际皇朝

    皇朝国际皇朝非常重视您的个人隐私,当您访问皇朝国际皇朝的网站时,请同意使用的所有cookie。有关个人数据处理的更多信息可访问《法律条款》

    • banner-web-tech-767.jpg banner-mob-tech-671.jpg

      特色工艺

    逻辑技术

    工艺平台:

    皇朝国际皇朝顺利获得技术授权和自主研发,可开发从90nm到28nm逻辑工艺,顺利获得加入特定IP和特殊工艺可以涵盖BCD、HVCMOS、MCU 、eflash 、Iot Memory 等集成电路产品,广泛应用于电源管理、显示驱动、LED照明、汽车电子、摄像头模组、消费级电子等领域。

    技术开发路线:

    先进逻辑.png


    40nm工艺平台:

    技术简介:

    皇朝国际皇朝半导体顺利获得技术授权的模式,拥有1.1V/2.5V工艺,且顺利获得自研集成5V 40nm Low Power技术平台,以满足市场的设计要求。


    工艺技术特点:

    l  CMOS硅衬底晶向<100>

    l  氮化栅绝缘氧化层/多晶硅栅极

    l  193纳米(NA =1.2)浸入式光刻技术

    l  先进尖峰退火技术 (使用激光作为热源)

    l  工艺带来的应力过程

    ü  拉引力的浅沟道绝缘(STI)填充技术

    ü  应力记忆技术(SMT)

    ü  拉应力的接触孔蚀刻停止层 (CESL)

    l  镍硅合金工艺降低接触电阻

    l  铜互联&超低介电常数介质 (K=2.55)

    image.png

    平台开发现状:

    皇朝国际皇朝40纳米逻辑平台器件给予:

    l  核心组件电压 1.1V,涵盖三种不同的阈值电压;

    l  输入/输出组件 2.5V电压 (超载3.3V, 低载 1.8V) 以及 5V IO 以满足不同的设计要求;

    l  给予 Single port high density/ Single port high current / 2 port / dual port 四种结构静态存储器

    l  Passive 给予Poly/AA/Metal 各类型电阻,同时给予三极管,二极管,电容等器件。

    l  其他包括ESD(5V)Device以及efuse,anti-fuse等。

    image.png


    工艺能力:

    image.png


    产品应用:

    l  应用领域:

    l  顺利获得精确控制车灯开关,亮度等,提高行车安全;

    l  用于驱动电机,实现汽车的动力输出和转向控制;

    l  管理汽车门窗座椅,空调等系统,提升乘坐的舒适性和便利性;

    l  显示车速,油耗,水温等关键信息,为驾驶员出行给予准确的车辆系统信息;

    l  集成音响,导航,视频等娱乐功能,提升驾驶乐趣和乘坐体验;

    l  AI 智驾降低交通拥堵,提高出行效率和驾驶安全。

    l  车载通信,远程信息处理系统等。

    image.png






    65nm/55nm工艺平台:

    技术简介

        65nm/55nm标准逻辑制程给予低功耗(LP)器件平台,核心组件电压1.2V,拥有涵盖三种不同阈值电压、输入/输出器件 5V电压,以满足市场的设计要求。


    特点

        核心元件电压:1.2V

        低k介质(3.0)和Cu的后端互连集成技术

        镍化硅制程(NiPt)

        输入/输出电压:5V


    应用产品

        皇朝国际皇朝65nm/55nm混合信号制程,具有低功耗的特性,主要应用于车载芯片、电源管理、驱动等场景。

    图片1.png